Ispitivanje uticaja implantacije jona visokih energija u modu kanalisanja na strukturu 6H-SiC monokristala

Doktorand: Глогињић, Марко П.
Fakultet: Fakultet za fizičku hemiju
Napomena: Rok za dostavljanje primedbi na doktorsku disertaciju je istekao.
Datum postavljanja na uvid javnosti: 05-09-2022
Datum odbrane: 28-11-2022
Objavljeni radovi:
[1]  1. Marko Gloginjić, Marko Erich, Michael Kokkoris, Efthymios Liarokapis, Stjepko Fazinić, Marko Karlušić, Kristina Tomić Luketić, Srdjan Petrović, The quantitative 6H-SiC crystal damage depth profiling, Journal of Nuclear Materials, 555 (2021) 153143/1-153143/9. 2. 2. Aikaterini Flessa, Eleni Ntemou, Michael Kokkoris, Efthymios Liarokapis, Marko Gloginjić, Srdjan Petrović, Marko Erich, Stjepko Fazinić, Marko Karlušić, Kristina Tomić, Raman mapping of 4-MeV C and Si channeling implantation of 6H-SiC, Journal of Raman Spectroscopy, 50 (2019) 1186-1196. 3.